Número de Producto del Fabricante:
AOT1N60
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOT1N60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 41.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
1232 Pcs Nuevos Originales En Stock
12845145
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ENVIAR
AOT1N60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
AOT1
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
5202-AOT1N60
785-1184-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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