Número de Producto del Fabricante:

AOT66811L

Product Overview

Fabricante:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Número de pieza:

AOT66811L-DG

Descripción:

N

Descripción Detallada:

N-Channel 80 V 43A (Ta), 120A (Tc) 10W (Ta), 310W (Tc) Through Hole TO-220

Inventario:

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12995931

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AOT66811L Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

AlphaSGT2™

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

80 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

43A (Ta), 120A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

8V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

3mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3.8V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

5750 pF @ 40 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

10W (Ta), 310W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

AOT66811

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Otros nombres

785-AOT66811LTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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