Número de Producto del Fabricante:
AOTF66616L
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOTF66616L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 38A (Ta), 72.5A (Tc) 8.3W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventario:
2252 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846570
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ENVIAR
AOTF66616L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
AlphaSGT™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Ta), 72.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2870 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
8.3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
AOTF66616
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
5202-AOTF66616L
785-1824
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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