Número de Producto del Fabricante:
AOW11N60
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOW11N60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
773 Pcs Nuevos Originales En Stock
12848212
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ENVIAR
AOW11N60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
700mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
272W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
AOW11
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
785-1426-5
5202-AOW11N60
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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