Número de Producto del Fabricante:
AOW418
Product Overview
Fabricante:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número de pieza:
AOW418-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 9.5A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12849649
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ENVIAR
AOW418 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Embalaje
-
Serie
SDMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.5A (Ta), 105A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5200 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
AOW41
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDI045N10A-F102
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
475
NÚMERO DE PIEZA
FDI045N10A-F102-DG
PRECIO UNITARIO
1.84
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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