AS1M025120T
Número de Producto del Fabricante:

AS1M025120T

Product Overview

Fabricante:

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Número de pieza:

AS1M025120T-DG

Descripción:

N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventario:

15 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988912
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AS1M025120T Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Anbon Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 15mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
195 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
370W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
4530-AS1M025120T

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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