Número de Producto del Fabricante:
2N5551
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
2N5551-DG
Descripción:
BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
Inventario:
12883493
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ENVIAR
2N5551 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
200 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
160 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Potencia - Máx.
625 mW
Frecuencia - Transición
300MHz
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92
Número de producto base
2N5551
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
2N5551DICT
2N5551DITB
2N5551CT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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