Número de Producto del Fabricante:
BSS8402DWQ-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
BSS8402DWQ-7-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
Inventario:
8006 Pcs Nuevos Originales En Stock
12901938
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ENVIAR
BSS8402DWQ-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V, 50V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
115mA, 130mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Potencia - Máx.
200mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-363
Número de producto base
BSS8402
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
Q8604571
31-BSS8402DWQ-7CT
BSS8402DWQ-7-DG
31-BSS8402DWQ-7TR
31-BSS8402DWQ-7DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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