DMJ70H1D3SK3-13
Número de Producto del Fabricante:

DMJ70H1D3SK3-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMJ70H1D3SK3-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 4.7A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

12979230
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMJ70H1D3SK3-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
264 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
DMJ70

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMJ70H1D3SK3-13TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
STD7NM80
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
4929
NÚMERO DE PIEZA
STD7NM80-DG
PRECIO UNITARIO
1.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMPH4011SK3Q-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R

onsemi

NVTYS029N08HLTWG

T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG

micro-commercial-components

MCU01N60-TP

MCU01N60-TP

diodes

DMN3110SQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R