Número de Producto del Fabricante:
DMN1019USNQ-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN1019USNQ-7-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventario:
13002775
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ENVIAR
DMN1019USNQ-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2426 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
680mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-59-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
DMN1019
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMN1019USNQ-7
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMN1019USNQ-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMN1019USNQ-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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