Número de Producto del Fabricante:
DMN1032UCB4-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN1032UCB4-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Descripción Detallada:
N-Channel 12 V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
Inventario:
12887394
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ENVIAR
DMN1032UCB4-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
450 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
U-WLB1010-4
Paquete / Caja
4-UFBGA, WLBGA
Número de producto base
DMN1032
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
DMN1032UCB4-7DIDKR
DMN1032UCB4-7DICT
DMN1032UCB4-7DITR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PMCM6501VNEZ
FABRICANTE
NXP USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
2022638
NÚMERO DE PIEZA
PMCM6501VNEZ-DG
PRECIO UNITARIO
0.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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