DMN10H099SFG-7

Número de Producto del Fabricante:

DMN10H099SFG-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN10H099SFG-7-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventario:

1621 Pcs Nuevos Originales En Stock

12883091

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DMN10H099SFG-7 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4.2A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

80mOhm @ 3.3A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

25.2 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1172 pF @ 50 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

980mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

PowerDI3333-8

Paquete / Caja

8-PowerVDFN

Número de producto base

DMN10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

DMN10H099SFG-7-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

2,000

Otros nombres

DMN10H099SFG-7DICT

DMN10H099SFG-7DIDKR

DMN10H099SFG-7DITR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

DMN10H099SFG-13

FABRICANTE

Diodes Incorporated

CANTIDAD DISPONIBLE

0

NÚMERO DE PIEZA

DMN10H099SFG-13-DG

PRECIO UNITARIO

0.20

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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