Número de Producto del Fabricante:
DMN2016UTS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2016UTS-13-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
Inventario:
9750 Pcs Nuevos Originales En Stock
12887786
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ENVIAR
DMN2016UTS-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.58A
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1495pF @ 10V
Potencia - Máx.
880mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Número de producto base
DMN2016
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
DMN2016UTS-13DITR
DMN2016UTS13
DMN2016UTS-13DICT
DMN2016UTS-13DIDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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