Número de Producto del Fabricante:
DMN2310UT-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2310UT-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Inventario:
13000516
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMN2310UT-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
950mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
38 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
290mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-523
Paquete / Caja
SOT-523
Número de producto base
DMN2310
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
31-DMN2310UT-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMN2310UTQ-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
2963
NÚMERO DE PIEZA
DMN2310UTQ-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMTH8008SFG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
IPDQ60R025CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
IPDQ60R015CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW