Número de Producto del Fabricante:
DMN2710UFB-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2710UFB-7-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 720mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventario:
13002662
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMN2710UFB-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
42 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
720mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X1-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-UFDFN
Número de producto base
DMN2710
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMN2710UFB-7
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMN2710UFB-7B
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMN2710UFB-7B-DG
PRECIO UNITARIO
0.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
SSM6K824R,LF
N-CH MOSFET 20V, +/-8V, 6A ,0.03
SIHP074N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
SQS181ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 80 V (D-S)
