Número de Producto del Fabricante:
DMN6069SFGQ-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN6069SFGQ-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 2.4W Surface Mount PowerDI3333-8
Inventario:
5980 Pcs Nuevos Originales En Stock
12884097
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ENVIAR
DMN6069SFGQ-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1480 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
DMN6069
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
31-DMN6069SFGQ-7CT
31-DMN6069SFGQ-7TR
DMN6069SFGQ-7-DG
31-DMN6069SFGQ-7DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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