DMN60H3D5SK3-13
Número de Producto del Fabricante:

DMN60H3D5SK3-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMN60H3D5SK3-13-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventario:

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DMN60H3D5SK3-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
354 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
DMN60

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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