Número de Producto del Fabricante:
DMN95H8D5HCT
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN95H8D5HCT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventario:
12949375
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ENVIAR
DMN95H8D5HCT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
950 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB (Type TH)
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
DMN95
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
DMN95H8D5HCT-DG
DMN95H8D5HCTDI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTP2N100
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTP2N100-DG
PRECIO UNITARIO
3.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXTP2R4N120P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
14
NÚMERO DE PIEZA
IXTP2R4N120P-DG
PRECIO UNITARIO
3.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXTP2N100P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
136
NÚMERO DE PIEZA
IXTP2N100P-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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