Número de Producto del Fabricante:
DMNH10H021SPSW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMNH10H021SPSW-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 1.8W Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventario:
13001060
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMNH10H021SPSW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
28mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3789 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
DMNH10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMNH10H021SPSW-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMN65D8LT-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
NVMYS9D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
NVBL099N65S3
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
