Número de Producto del Fabricante:
DMT10H017LPD-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT10H017LPD-13-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 54.7A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventario:
2475 Pcs Nuevos Originales En Stock
12895307
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ENVIAR
DMT10H017LPD-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
54.7A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
17.4mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28.6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1986pF @ 50V
Potencia - Máx.
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8
Número de producto base
DMT10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMT10H017LPD-13DKR
31-DMT10H017LPD-13TR
DMT10H017LPD-13-DG
31-DMT10H017LPD-13CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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