Número de Producto del Fabricante:
DMT10H032LFVW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT10H032LFVW-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventario:
12979079
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMT10H032LFVW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
683 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
DMT10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMT10H032LFVW-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMT10H032LFVW-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMT10H032LFVW-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMN2450UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2310UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMN61D9UT-13
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K