Número de Producto del Fabricante:
DMT12H060LCA9-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT12H060LCA9-7-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
Descripción Detallada:
N-Channel 115 V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount X2-DSN1515-9
Inventario:
13002612
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ENVIAR
DMT12H060LCA9-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
115 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±5.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DSN1515-9
Paquete / Caja
9-SMD, No Lead
Número de producto base
DMT12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMT12H060LCA9-7
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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