Número de Producto del Fabricante:

DMT35M4LFDF4-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT35M4LFDF4-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 12A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6 (Type W)

Inventario:

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DMT35M4LFDF4-13 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Diodes Incorporated

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

12A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

9mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

14.9 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1009 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

910mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

X2-DFN2020-6 (Type W)

Paquete / Caja

6-PowerXDFN

Número de producto base

DMT35M4LF

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

10,000

Otros nombres

31-DMT35M4LFDF4-13TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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