DMT35M4LFDF4-13
Número de Producto del Fabricante:

DMT35M4LFDF4-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT35M4LFDF4-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN2020
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6 (Type W)

Inventario:

12978938
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMT35M4LFDF4-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1009 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
910mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DFN2020-6 (Type W)
Paquete / Caja
6-PowerXDFN
Número de producto base
DMT35M4LF

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
31-DMT35M4LFDF4-13TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FCPF260N60E-F154

MOSFET N-CH 600V 15A TO220F-3

diodes

2N7002KQ-7

2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K

diodes

DMP4006SPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMP31D7LFB-7B

MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006