DMT4008LFDF-13
Número de Producto del Fabricante:

DMT4008LFDF-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT4008LFDF-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 11.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventario:

13000238
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMT4008LFDF-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1179 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
U-DFN2020-6 (Type F)
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
31-DMT4008LFDF-13TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
DMT4008LFDF-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMT4008LFDF-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMN3069L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

taiwan-semiconductor

TSM4806CS

20V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G65P06K

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.

goford-semiconductor

G1002L

N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2