DMT4014LDV-7
Número de Producto del Fabricante:

DMT4014LDV-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT4014LDV-7-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Descripción Detallada:
Mosfet Array 40V 8.5A (Ta), 26.5A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)

Inventario:

12986252
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMT4014LDV-7 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
750pF @ 20V
Potencia - Máx.
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Número de producto base
DMT4014

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
31-DMT4014LDV-7DKR
31-DMT4014LDV-7CT
31-DMT4014LDV-7TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
renesas-electronics-america

UPA2752GR-E1-A

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP

goford-semiconductor

GT090N06D52

MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN

microchip-technology

MSCSM170TAM15CTPAG

SIC 6N-CH 1700V 179A

rohm-semi

SH8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOP