DMT61M8SPS-13
Número de Producto del Fabricante:

DMT61M8SPS-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMT61M8SPS-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 205A (Tc) 2.7W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)

Inventario:

12979120
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DMT61M8SPS-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
205A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8306 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.7W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type K)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMT61M8SPS-13TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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