Número de Producto del Fabricante:
DMT64M1LPSW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT64M1LPSW-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Descripción Detallada:
N-Channel 65 V 21.8A (Ta), 81.7A (Tc) 3.14W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventario:
12987240
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ENVIAR
DMT64M1LPSW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
65 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21.8A (Ta), 81.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2626 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.14W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMT64M1LPSW-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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