Número de Producto del Fabricante:
DMTH10H009LFGQ-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMTH10H009LFGQ-13-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventario:
13242672
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ENVIAR
DMTH10H009LFGQ-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2361 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-DMTH10H009LFGQ-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMTH10H009LFGQ-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMTH10H009LFGQ-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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