Número de Producto del Fabricante:
DMTH6006LPSW-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMTH6006LPSW-13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 17.2A (Ta), 100A (Tc) 2.88W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
Inventario:
13270164
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ENVIAR
DMTH6006LPSW-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17.2A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2162 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.88W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type Q)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
DMTH6006
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMTH6006LPSW-13TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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