Número de Producto del Fabricante:
DMTH8008LFGQ-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMTH8008LFGQ-7-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventario:
4000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978535
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ENVIAR
DMTH8008LFGQ-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Ta), 70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2254 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
31-DMTH8008LFGQ-7DKR
31-DMTH8008LFGQ-7CT
31-DMTH8008LFGQ-7TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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