DMTH8008LPSWQ-13
Número de Producto del Fabricante:

DMTH8008LPSWQ-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMTH8008LPSWQ-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 91A (Tc) 1.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventario:

13242690
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMTH8008LPSWQ-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
91A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2345 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8 (Type UX)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMTH8008LPSWQ-13TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMN1003UFDE-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

diodes

DMTH6005LFGQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMPH4016SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH43M7LFGQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333