Número de Producto del Fabricante:
ZXMN10A08DN8TA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMN10A08DN8TA-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Inventario:
2043 Pcs Nuevos Originales En Stock
12905863
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ENVIAR
ZXMN10A08DN8TA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
405pF @ 50V
Potencia - Máx.
1.25W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
ZXMN10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
ZXMN10A08DN8TACT-NDR
ZXMN10A08DN8TACT
ZXMN10A08DN8TATR-NDR
ZXMN10A08DN8TATR
ZXMN10A08DN8TADKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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