Número de Producto del Fabricante:
ZXMN10B08E6QTA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMN10B08E6QTA-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Inventario:
12978860
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
ZXMN10B08E6QTA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.3V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
230mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
497 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-26
Paquete / Caja
SOT-23-6
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
31-ZXMN10B08E6QTATR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
ZXMN10B08E6TA
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
5553
NÚMERO DE PIEZA
ZXMN10B08E6TA-DG
PRECIO UNITARIO
0.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMT12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
