DI100N10PQ-AQ
Número de Producto del Fabricante:

DI100N10PQ-AQ

Product Overview

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Número de pieza:

DI100N10PQ-AQ-DG

Descripción:

MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-QFN (5x6)

Inventario:

13005871
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DI100N10PQ-AQ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diotec Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-QFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
4878-DI100N10PQ-AQDKR
2796-DI100N10PQ-AQTR
2796-DI100N10PQ-AQTR-DG
4878-DI100N10PQ-AQTR
4878-DI100N10PQ-AQCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
Vendor Undefined
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A TO236

vishay

SIHD14N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 13A DPAK

vishay

SQJ464EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8