Número de Producto del Fabricante:

EPC7018GSH

Product Overview

Fabricante:

EPC Space, LLC

Número de pieza:

EPC7018GSH-DG

Descripción:

GAN FET HEMT 100V 90A 5UB

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 80A (Tc) Surface Mount 5-SMD

Inventario:

42 Pcs Nuevos Originales En Stock

13239704

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EPC7018GSH Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

EPC Space

Embalaje

Bulk

Serie

eGaN®

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

80A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

5V

rds activados (máx.) @ id, vgs

6mOhm @ 40A, 5V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 12mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

11.7 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

+6V, -4V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1240 pF @ 50 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

-

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

5-SMD

Paquete / Caja

5-SMD, No Lead

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Otros nombres

4107-EPC7018GSH

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Affected

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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