Número de Producto del Fabricante:
FBG04N08ASH
Product Overview
Fabricante:
EPC Space, LLC
Número de pieza:
FBG04N08ASH-DG
Descripción:
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 8A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventario:
13002562
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ENVIAR
FBG04N08ASH Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC Space
Embalaje
Bulk
Serie
e-GaN®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
312 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-SMD
Paquete / Caja
4-SMD, No Lead
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
4107-FBG04N08ASH
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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