Número de Producto del Fabricante:
FBG10N05AC
Product Overview
Fabricante:
EPC Space, LLC
Número de pieza:
FBG10N05AC-DG
Descripción:
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 5A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventario:
64 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997446
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FBG10N05AC Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC Space
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
44mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
233 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-SMD
Paquete / Caja
4-SMD, No Lead
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
169
Otros nombres
4107-FBG10N05AC
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB65R145CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
FDS4465-G
MOSFET P-CH 20V 8SOIC
CMS25N10D-HF
MOSFET P-CH 100V 25A DPAK