Número de Producto del Fabricante:
FCH35N60
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCH35N60-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
12954285
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ENVIAR
FCH35N60 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
-
Serie
SuperMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
98mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
181 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6640 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
312.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Información Adicional
Paquete Estándar
76
Otros nombres
2156-FCH35N60
FAIFSCFCH35N60
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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