Número de Producto del Fabricante:
FCP9N60N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCP9N60N-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
33480 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946212
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FCP9N60N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
SuperMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
179
Otros nombres
FAIFSCFCP9N60N
2156-FCP9N60N
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDMC0202S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
2SJ356(0)-T1-AY
2SJ356 - SIGNAL DEVICE
IRFSL7730PBF
IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
