Número de Producto del Fabricante:
FDFS2P103
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDFS2P103-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
29870 Pcs Nuevos Originales En Stock
12903631
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ENVIAR
FDFS2P103 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
59mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
528 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
650
Otros nombres
FAIFSCFDFS2P103
2156-FDFS2P103
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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