FDG311N
Número de Producto del Fabricante:

FDG311N

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDG311N-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventario:

65240 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946841
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FDG311N Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDG311N Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
1,466
Otros nombres
2156-FDG311N
FAIFSCFDG311N

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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