FDPF51N25YDTU
Número de Producto del Fabricante:

FDPF51N25YDTU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDPF51N25YDTU-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventario:

566 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946581
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDPF51N25YDTU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
51A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3410 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
153
Otros nombres
ONSFSCFDPF51N25YDTU
2156-FDPF51N25YDTU

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP6N40C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMS7660

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW