Número de Producto del Fabricante:
FDS2170N3
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDS2170N3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
2627 Pcs Nuevos Originales En Stock
13077234
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ENVIAR
FDS2170N3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Embalaje
Bulk
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
128mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
145
Otros nombres
2156-FDS2170N3-FSTR
FAIFSCFDS2170N3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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