FQA44N30
Número de Producto del Fabricante:

FQA44N30

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQA44N30-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Descripción Detallada:
N-Channel 300 V 43.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventario:

1056 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946782
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FQA44N30 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
69mOhm @ 21.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FQA44N30 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
67
Otros nombres
FAIFSCFQA44N30
2156-FQA44N30

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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