Número de Producto del Fabricante:
FQA6N70
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQA6N70-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 6.4A (Tc) 152W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
4865 Pcs Nuevos Originales En Stock
12823127
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FQA6N70 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
152W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
243
Otros nombres
2156-FQA6N70-FS
FAIFSCFQA6N70
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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