Número de Producto del Fabricante:
FQAF16N50
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQAF16N50-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 11.3A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
8060 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978209
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ENVIAR
FQAF16N50 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
320mOhm @ 5.65A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
108
Otros nombres
ONSFSCFQAF16N50
2156-FQAF16N50
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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