Número de Producto del Fabricante:
FQAF33N10
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQAF33N10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
1396 Pcs Nuevos Originales En Stock
12817581
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ENVIAR
FQAF33N10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
386
Otros nombres
2156-FQAF33N10-FS
FAIFSCFQAF33N10
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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