Número de Producto del Fabricante:
FQI10N60CTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQI10N60CTU-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
55208 Pcs Nuevos Originales En Stock
13075926
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ENVIAR
FQI10N60CTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2040 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
333
Otros nombres
FAIFSCFQI10N60CTU
2156-FQI10N60CTU-FS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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