Número de Producto del Fabricante:
FQI50N06LTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQI50N06LTU-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 52.4A (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
1730 Pcs Nuevos Originales En Stock
13076000
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQI50N06LTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
52.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 26.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
211
Otros nombres
2156-FQI50N06LTU-FS
FAIFSCFQI50N06LTU
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDD6688S
MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
HUF75623P3
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
