FQP17N08
Número de Producto del Fabricante:

FQP17N08

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQP17N08-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 16.5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

2331 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816882
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FQP17N08 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 8.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FQP17N08

Información Adicional

Paquete Estándar
888
Otros nombres
2156-FQP17N08-FS
FAIFSCFQP17N08

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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